Các MISFET là gì?

Yếu tố cơ bản của các thiết bị bán dẫn tiếp tục phát triển. Mỗi phát minh mới trong lĩnh vực này, trên thực tế, ý tưởng về việc thay đổi tất cả các hệ thống điện tử. Thay đổi khả năng thiết kế mạch trong việc thiết kế các thiết bị mới xuất hiện trên chúng. Kể từ khi phát minh ra transistor đầu tiên (1948 g) đã được thông qua một thời gian dài. Nó được phát minh cấu trúc "PnP" và "NPN", transistor lưỡng cực. Theo thời gian nó xuất hiện MIS transistor, hoạt động trên nguyên tắc thay đổi về tính dẫn điện của lớp bán dẫn bề mặt dưới ảnh hưởng của một điện trường. Do đó một tên khác cho yếu tố này - một lĩnh vực.

TIR viết tắt bản thân (kim loại cách điện-bán dẫn) đặc trưng cho cấu trúc bên trong của bộ máy này. Và quả thực, màn trập nó được phân lập từ các nguồn và cống với một lớp không dẫn điện mỏng. transistor MIS hiện đại có chiều dài cổng 0,6 micron. Thông qua nó chỉ có thể vượt qua một trường điện từ - mà nó ảnh hưởng đến tình trạng điện của bán dẫn.

Hãy nhìn vào cách các transistor hiệu ứng trường, và tìm hiểu sự khác biệt chính từ lưỡng cực là những gì "người anh em." Khi năng lực cần thiết ở cổng của nó có một trường điện từ. Nó ảnh hưởng đến sức đề kháng của ngã ba ngã ba nguồn-cống. Dưới đây là một số lợi ích của việc sử dụng thiết bị này.

• Trong cuộc kháng chiến chuyển tiếp con đường thoát nguồn trạng thái mở là rất nhỏ, và MIS transistor đã được sử dụng thành công như một chìa khóa điện tử. Ví dụ, nó có thể kiểm soát hoạt động khuếch đại, bỏ qua các tải hoặc tham gia vào các mạch logic.
• Ngoài ra các lưu ý và trở kháng đầu vào cao của thiết bị. Tùy chọn này là khá phù hợp khi làm việc trong mạch điện áp thấp.
• Thấp khả năng chuyển thoát nguồn cho phép MIS transistor trong các thiết bị tần số cao. Không chịu biến dạng xảy ra trong quá trình truyền tín hiệu.
• Phát triển các công nghệ mới trong sản xuất của các yếu tố dẫn đến việc tạo ra các IGBT-transistor, trong đó kết hợp những phẩm chất tích cực của lĩnh vực và các tế bào lưỡng cực. Mô đun cấp điện dựa trên chúng được sử dụng rộng rãi trong người mới bắt đầu mềm và bộ chuyển đổi tần số.

Trong thiết kế và hoạt động của các yếu tố này phải được đưa vào tính toán rằng các bóng bán dẫn MIS rất nhạy cảm với quá áp trong mạch và tĩnh điện. Đó là, các thiết bị có thể bị hư hỏng nếu bạn chạm vào thiết bị đầu cuối kiểm soát. Khi cài đặt hoặc loại bỏ việc sử dụng nền tảng đặc biệt.

Triển vọng cho việc sử dụng các thiết bị này là rất tốt. Do đặc tính độc đáo của nó, nó được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử khác nhau. hướng sáng tạo trong thiết bị điện tử hiện đại là việc sử dụng sức mạnh IGBT mô-đun cho các hoạt động trong các mạch khác nhau, bao gồm, và cảm ứng.

Công nghệ sản xuất của họ liên tục được cải thiện. Nó đang được phát triển cho chiều dài rộng (giảm) cổng. Điều này sẽ cải thiện các thông số hiệu suất đã tốt của thiết bị.